[发明专利]一种半导体晶圆、键合结构及其键合方法有效

专利信息
申请号: 201910324533.8 申请日: 2019-04-22
公开(公告)号: CN110047911B 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 周云鹏;郭万里;胡杏;黄宇恒 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L23/544;H01L21/18
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 党丽;王宝筠
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种半导体晶圆、键合结构及其键合方法,该半导体晶圆将与其他晶圆进行晶圆级键合,在该晶圆中,在顶层覆盖层中形成有与互连结构电连接的键合垫,同时,在该顶层覆盖层中形成有键合对准图形,该键合对准图形的图案由设置于顶层覆盖层中的点阵组成。这样,由于键合对准图形设置于顶层覆盖层中,顶层覆盖层之上将不再覆盖其他的材料层,提升键合设备对键合对准图形的识别能力,增大了键合制程工艺对准窗口,同时,键合对准图形的图案由点阵组成,更易于键合孔工艺集成,且避免制造工艺中碟陷等缺陷的产生。
搜索关键词: 一种 半导体 结构 及其 方法
【主权项】:
1.一种半导体晶圆,其特征在于,包括:半导体衬底;衬底上的器件结构,以及所述器件结构的互连结构;覆盖所述互连结构的顶层覆盖层;设置于所述顶层覆盖层中且与所述互连结构接触连接的键合垫;设置于所述顶层覆盖层中的键合对准图形,所述键合对准图形的图案由设置于顶层覆盖层中的点阵组成。
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