[发明专利]光刻工艺监测方法有效
| 申请号： | 201910325048.2 | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN110967934B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 李志杰;黄世钧;张世明;谢艮轩;严永松;刘如淦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种执行光刻工艺的方法包括提供测试图案。测试图案包括以第一间距布置的第一组线、以第一间距布置的第二组线，并且还包括在第一组线和第二组线之间的至少一条参考线。用辐射源曝光测试图案，以在衬底上形成测试图案结构，辐射源提供不对称的单极照射轮廓。然后测量测试图案结构，并且将测量的距离与光刻参数的偏移相关联。基于光刻参数的偏移来调整光刻工艺。本发明的实施例还涉及光刻工艺监测方法。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 工艺 监测 方法 | ||
【主权项】：
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