[发明专利]一种用于晶体生长的反应器有效
| 申请号： | 201910325375.8 | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN110079863B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 李加林;张红岩;窦文涛;宗艳民;李斌;高超;刘家朋;李长进;李宏刚;孙元行;刘鹏飞 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/02 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 吴绍群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种用于晶体生长的反应器，属于晶体材料制备领域。该用于晶体生长的反应器包括：坩埚组件，其包括：坩埚主体、坩埚盖和设置在坩埚主体内的螺旋隔板组件，装载在坩埚主体内的原料升华后至少部分经螺旋隔板组件形成的螺旋气流通道后进行晶体生长；支撑部件和加热部件，坩埚组件还可以转动。本申请的反应器改变传统的气相传输方式，由传统的垂直向上传输转换为螺旋向上传输，实现对晶体生长过程中大颗粒杂质的有效格挡，降低晶体中的缺陷密度，提高晶体质量；并且不会造成气相向上传输困难，无需过高生长温度，降低能耗；本申请可以对真空下的气相传输起到控制作用，真空下的单晶生长速率快、生长温度低，且气相可以有序向上传输，生长的晶体的缺陷少，降本增效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 晶体生长 反应器 | ||
【主权项】：
1.一种用于晶体生长的反应器，其特征在于，该反应器包括：坩埚组件，其包括：坩埚主体、坩埚盖和设置在坩埚主体内的至少一个螺旋隔板组件，装载在坩埚主体内的原料升华后至少部分经螺旋隔板组件形成的螺旋气流通道后进行晶体生长；位于坩埚盖内侧并适于支撑生长晶体的支撑部件；以及适于将所述坩埚组件保持在生长晶体的温度的加热部件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东天岳先进材料科技有限公司，未经山东天岳先进材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910325375.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
