[发明专利]微型发光二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201910326884.2 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN110246933B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 从颖;姚振;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了微型发光二极管的制备方法，属于发光二极管制作领域。在衬底上生长的n型层的生长转速为200～480rpm时，反应腔内的气流的转速与石墨盘的转速的同步度较高，气流可以较为均匀地沉积在衬底上得到n型层。进一步降低生长转速进行InGaN/GaN多量子阱层的生长，可保证InGaN/GaN多量子阱层以相较n型层更低的生长速率进行生长，In原子分布可以更均匀，InGaN/GaN多量子阱层中的In原子也有足够的时间渗入InGaN/GaN多量子阱层中，提高InGaN/GaN多量子阱层捕捉载流子的能力与微型发光二极管的发光均匀度。使p型层的生长转速高于n型层的生长转速，且p型层的生长转速高于n型层的生长转速，可提高p型层生长转速，避免镁原子扩散至InGaN/GaN多量子阱层中，保证InGaN/GaN多量子阱层的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 微型 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微型发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长n型层、InGaN/GaN多量子阱层与p型层；所述InGaN/GaN多量子阱层的生长转速、所述n型层的生长转速、所述p型层的生长转速均为200～480rp，所述InGaN/GaN多量子阱层的生长转速、所述n型层的生长转速、所述p型层的生长转速依次增加。
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