[发明专利]发光元件在审
| 申请号： | 201910327489.6 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN110416381A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 森祐太;船蔵优作 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陆悦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种既能够抑制正向电压的上升又能够提高光取出效率的发光元件。发光元件具备半导体层积体，该半导体层积体具有：n型半导体层，其包括光取出面和n侧接触面，该n侧接触面设于所述光取出面的相反侧；发光层，其设于所述n型半导体层的除所述n侧接触面以外的区域；p型半导体层，其设于所述发光层上。俯视观察时，所述p型半导体层以包围所述n侧接触面的方式设置。在所述n侧接触面的包含中央部的区域设有第一绝缘膜。设有具有n接触部的n侧电极，该n接触部设于所述n侧接触面中的所述第一绝缘膜的周围且与所述n侧接触面接触。 | ||
| 搜索关键词： | 侧接触面 发光元件 半导体层积体 侧接触 发光层 绝缘膜 光取出效率 方式设置 俯视观察 光取出面 正向电压 光取出 相反侧 中央部 包围 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件，具备半导体层积体，该半导体层积体具有：n型半导体层，其包括光取出面和n侧接触面，该n侧接触面设于所述光取出面的相反侧；发光层，其设于所述n型半导体层的除所述n侧接触面以外的区域；p型半导体层，其设于所述发光层上；其特征在于，俯视观察时，所述p型半导体层以包围所述n侧接触面的方式设置，所述发光元件具备：第一绝缘膜，其设于所述n侧接触面的包含中央部的区域；n侧电极，其具有n接触部，该n接触部设于所述n侧接触面中的所述第一绝缘膜的周围且与所述n侧接触面接触；p侧电极，其设于所述p型半导体层上，与所述p型半导体层接触。
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