[发明专利]二次安全保护元件的制造方法、芯片及设备在审
| 申请号： | 201910328129.8 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN110223811A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 陈瑜;田宗谦 | 申请（专利权）人： | 深圳市金瑞电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02;H01C1/14 |
| 代理公司： | 深圳市华优知识产权代理事务所(普通合伙) 44319 | 代理人： | 余薇 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区观湖*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及安全保护元件技术领域，公开了一种二次安全保护元件的制造方法、芯片及设备。所述二次安全保护元件的制造方法，包括：通过对高分子聚合物进行密炼、造粒和压合以形成高分子正温度系数热敏电阻芯料；将上下电极膜压合在形成的高分子正温度系数热敏电阻芯料上下表面上；以及通过蚀刻在上下电极膜上形成蚀刻区域。本发明通过形成不同面积的蚀刻区域方便快捷地调整二次安全保护元件的目标电阻，提高了二次安全保护元件的生产效率、电阻精度和产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 安全保护元件 高分子正温度系数 热敏电阻 上下电极 蚀刻区域 芯料 芯片 制造 高分子聚合物 蚀刻 产品良率 目标电阻 上下表面 生产效率 电阻 密炼 膜压 压合 造粒 | ||
【主权项】：
1.一种二次安全保护元件的制造方法，其特征在于，包括：通过对高分子聚合物进行密炼、造粒和压合以形成高分子正温度系数热敏电阻芯料；将上下电极膜压合在形成的高分子正温度系数热敏电阻芯料上下表面上；以及通过蚀刻在上下电极膜上形成蚀刻区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市金瑞电子材料有限公司，未经深圳市金瑞电子材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910328129.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种自熄弧装置
- 下一篇：一种片式NTC热敏电阻及制备方法
