[发明专利]一种有机单晶阵列薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201910329579.9 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN110158152B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 张秀娟;揭建胜;邓巍;王伟 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/05;C30B29/54;C30B7/06 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 薛峰;康正德 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业园区仁*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种有机单晶阵列薄膜的制备方法，包括：在氧化硅基底上施加聚合物绝缘材料；将氧化硅基底放置在加热装置上，并在70‑100℃下进行加热；向氧化硅基底滴加预先配置的混合溶液直至覆盖整个氧化硅基底，混合溶液为有机半导体小分子材料、有机聚合物以及挥发性有机溶剂的溶液，其中，有机半导体小分子材料和有机聚合物在挥发性有机溶剂中均可溶；待混合溶液在氧化硅基底上的液面开始收缩时，将气流均匀地吹向混合溶液的液面的边缘，以推动混合溶液在三相接触线附近成核结晶，从而在氧化硅基底上获得有机单晶阵列薄膜。本发明方案仅需利用加热以及气流即可在短时间(8‑15s)内制备获得较大面积的有机单晶阵列薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 阵列 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机单晶阵列薄膜的制备方法，其特征在于，包括：在氧化硅基底上施加聚合物绝缘材料；将所述氧化硅基底放置在加热装置上，并在70‑100℃下进行加热；向所述氧化硅基底滴加预先配置的混合溶液直至覆盖整个所述氧化硅基底，所述混合溶液为有机半导体小分子材料、有机聚合物以及挥发性有机溶剂的溶液，其中，所述有机半导体小分子材料和所述有机聚合物在所述挥发性有机溶剂中均可溶；待所述混合溶液在所述氧化硅基底上的液面开始收缩时，将气流均匀地吹向所述混合溶液的所述液面的边缘，以推动所述混合溶液在三相接触线附近成核结晶，从而在所述氧化硅基底上获得有机单晶阵列薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州大学，未经苏州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910329579.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
