[发明专利]一种正交相Ⅲ-Ⅵ族异质结光催化材料及其化学气相沉积方法在审
| 申请号： | 201910329955.4 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN109999849A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 温翠莲;张致远;张竹海;萨百晟;贺啸俊;蔡书畅 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | B01J27/057 | 分类号： | B01J27/057;B01J37/08 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊;林文弘 |
| 地址： | 350002 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种正交相Ⅲ‑Ⅵ族异质结光催化材料及制备方法，在氢气和氩气载气下，利用低压化学气相沉积法，在高温退火银箔的基底上合成正交相Ⅲ‑Ⅵ族InSe/InS、InSe/GaS、InSe/GaSe、InS/GaSe、InS/GaS或GaSe/GaS异质结。该方法制备工艺简单，产品纯度较高，所制备的正交相Ⅲ‑Ⅵ族异质结有望应用于光催化材料领域。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 正交相 光催化材料 制备 低压化学气相沉积 化学气相沉积 氩气 产品纯度 高温退火 制备工艺 氢气 基底 银箔 载气 合成 应用 | ||
【主权项】：
1.一种正交相Ⅲ‑Ⅵ族异质结光催化材料的化学气相沉积方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：(1) 将反应源S源和Se源中的任意一种以及In源和Ga源中的任意一种按质量比1:2‑4混合放置于双温区高温管式炉A中；将反应源S源和Se源中的任意一种以及In源和Ga源中的任意一种按质量比1:2‑5混合放置于双温区高温管式炉B中，将预处理后的银箔基底放置于单温区高温管式炉C中；(2) 将反应腔的真空度抽至6.65KPa，打开阀门，通入氢气和氩气对高温管式炉的反应腔进行清洗；(3) 同时加热两个双温区高温管式炉至反应源气相状态，在银箔基底区域同时升温至650‑670℃，旋转阀门连通A和C，持续通入载气，反应10‑20分钟，反应生成物沉积于银箔基底上，旋转阀门连通B和C，持续通入惰性气体，保持10‑20分钟；(4) 自然冷却至室温后同时关闭氢气和氩气，即可在基底上得到异质结薄层样品。
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