[发明专利]图像传感器及其形成方法有效
| 申请号： | 201910330123.4 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN110034145B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 刘斌武;吕相南 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种图像传感器及其形成方法，图像传感器包括：基底，所述基底包括中间区和包围所述中间区的外围区，所述中间区包括若干相互分立的第一像素区、以及位于相邻第一像素区之间的第一隔离区，所述外围区包括若干相互分立的第二像素区、以及位于相邻第二像素区之间的第二隔离区，若干所述第一像素区沿第一方向排列，且若干所述第二像素区沿第一方向排列；位于所述基底第一隔离区内的第一隔离结构，在所述第一方向上，所述第一隔离结构具有第一尺寸；位于所述基底第二隔离区内的第二隔离结构，在所述第一方向上，所述第二隔离结构具有第二尺寸，且所述第二尺寸小于所述第一尺寸。所述图像传感器的成像质量较好。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：基底，所述基底包括中间区和包围所述中间区的外围区，所述中间区包括若干相互分立的第一像素区、以及位于相邻第一像素区之间的第一隔离区，所述外围区包括若干相互分立的第二像素区、以及位于相邻第二像素区之间的第二隔离区，若干所述第一像素区沿第一方向排列，且若干所述第二像素区沿第一方向排列；位于所述基底第一隔离区内的第一隔离结构，在所述第一方向上，所述第一隔离结构具有第一尺寸；位于所述基底第二隔离区内的第二隔离结构，在所述第一方向上，所述第二隔离结构具有第二尺寸，且所述第二尺寸小于所述第一尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
