[发明专利]晶圆温度分布的检测方法有效
| 申请号： | 201910330689.7 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN110085531B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 王辉;龙俊舟;侯多源 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆温度分布的检测方法，通过检测一晶圆上若干监测点的湿法刻蚀速率；根据所有所述监测点的所述湿法刻蚀速率计算得到所述晶圆上所有所述监测点的温度，进而得到所述晶圆的温度分布情况。一方面，由于检测晶圆上若干监测点的湿法刻蚀速率的操作较为方便，且不需要停止整个工艺制程，即可以不停机进行检测，非常方便。另一方面，由于不需要采用热电偶，故成本较低。再一方面，可以通过设置较多的监测点，来实现检测晶圆表面较多分布点的湿法刻蚀速率，采样率相对较高，因此可获得的晶圆的温度分布情况更真实，实用性更强。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 分布 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆温度分布的检测方法，其特征在于，包括：检测一晶圆上若干监测点的湿法刻蚀速率；通过一温度‑湿法刻蚀速率关系方程，根据所有所述监测点的所述湿法刻蚀速率计算得到所述晶圆上所有所述监测点的温度，进而得到所述晶圆的温度分布情况。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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