[发明专利]一种玻璃衬底异质结太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201910331284.5 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN109980020A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 王璞;张忠文;赖怡 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0336;H01L31/075;H01L31/20 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 汤春微 |
| 地址： | 610299 四川省成都市双流*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种玻璃衬底异质结太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，本发明包括从下到上依次连接的玻璃衬底、透明导电氧化物层、空穴选择层、本征非晶硅层和n型掺杂非晶硅层，空穴选择层为氧化钼薄膜，透明导电氧化物层包括掺钼氧化铟、掺钛氧化铟、掺钨氧化铟中的任一种，本发明具有结构简单、载流子的横向运输能力强、光的利用率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 透明导电氧化物层 异质结太阳能电池 空穴 选择层 氧化铟 玻璃 制备 载流子 太阳能电池技术 本征非晶硅层 掺钼氧化铟 氧化钼薄膜 横向运输 依次连接 能力强 | ||
【主权项】：
1.一种玻璃衬底异质结太阳能电池，包括从下到上依次连接的玻璃衬底(1)、透明导电氧化物层(2)、空穴选择层(3)、本征非晶硅层(4)和n型掺杂非晶硅层(5)，其特征在于，空穴选择层(3)为氧化钼薄膜，透明导电氧化物层(2)包括掺钼氧化铟、掺钛氧化铟、掺钨氧化铟中的任一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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