[发明专利]自淬灭打火放大单元、其制备方法、探测器及应用有效
| 申请号： | 201910331417.9 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN110112050B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 周意;宋国锋;尚伦霖;张广安;鲁志斌;刘建北;张志永;吕游;邵明 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01J43/04 | 分类号： | H01J43/04;G01N27/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种自淬灭打火放大单元、其制备方法、探测器及应用，包括：印刷电路板基材；第一类金刚石碳基薄膜，位于印刷电路板基材上下表面；通孔，贯穿印刷电路板基材上下表面；第二类金刚石碳基薄膜，位于所述第一类金刚石碳基薄膜表面和通孔壁上。本发明提升了探测器抑制打火的能力、极大地提高了THGEM探测器的增益稳定性，简化了阻性THGEM探测器的制作工艺，降低了制作成本，对THGEM探测器的实际应用具有积极的推动作用。 | ||
| 搜索关键词： | 打火 放大 单元 制备 方法 探测器 应用 | ||
【主权项】：
1.一种自淬灭打火放大单元，其特征在于，包括：印刷电路板基材；第一类金刚石碳基薄膜，位于印刷电路板基材上下表面；通孔，贯穿印刷电路板基材上下表面；第二类金刚石碳基薄膜，位于所述第一类金刚石碳基薄膜表面和通孔壁上。
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