[发明专利]改性的TM-LDH纳米材料、其制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 201910331443.1 申请日: 2019-04-24
公开(公告)号: CN110129815B 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 龙霞;杨世和;谢扬山;鞠敏 申请(专利权)人: 北京大学深圳研究生院
主分类号: C25B1/04 分类号: C25B1/04;C25B11/06;B01J23/755;B01J23/80;B01J31/22;B01J37/10;B01J37/16;B01J37/02
代理公司: 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 代理人: 张海平;郭燕
地址: 518055 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种改性的过渡金属基层状双羟基化合物纳米材料,该过渡金属基层状双羟基化合物纳米材料包含两种或三种过渡金属,该改性的过渡金属基层状双羟基化合物纳米材料还包含原子级阳离子空位缺陷,该原子级阳离子空位缺陷为其中一种过渡金属被去除而留下的空位缺陷。本发明还提供通过络合反应制备该纳米材料的方法,该方法可以选择性地去除指定的金属离子,在原子水平上可控地形成原子级阳离子空位缺陷,操作简单,反应温和。本发明的纳米材料及包含该纳米材料的水分解催化剂、水分解电极表现出更低的分解水过电位和更快的制氢速率,在高效廉价的大规模商业化水分解制氢上将具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 改性 tm ldh 纳米 材料 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种改性的过渡金属基层状双羟基化合物纳米材料,其特征在于,所述过渡金属基层状双羟基化合物纳米材料包含两种或三种过渡金属,所述改性的过渡金属基层状双羟基化合物纳米材料还包含原子级阳离子空位缺陷,所述原子级阳离子空位缺陷为其中一种过渡金属被去除而留下的空位缺陷。
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