[发明专利]包括多倍高度标准单元的集成电路及其设计方法在审
| 申请号： | 201910331450.1 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN110634857A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 李大成;金雅凛;金珉修;刘钟奎 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;G06F17/50 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了包括多倍高度标准单元的集成电路及其设计方法。根据实施例，集成电路包括半导体衬底、第一至第三电力轨、第一至第三选择栅极线和行连接配线。半导体衬底上的第一至第三电力轨在第一方向上延伸并且在垂直于第一方向的第二方向上顺序地布置。半导体衬底上的第一至第三选择栅极线在第一电力轨和第二电力轨之间的第一区域以及第二电力轨和第三电力轨之间的第二区域上方沿第二方向延伸，并且在第一方向上顺序地布置。半导体衬底上的行连接配线在第一方向上延伸，以连接第一选择栅极线和第三选择栅极线。 | ||
| 搜索关键词： | 电力轨 选择栅极线 衬底 半导体 连接配线 集成电路 第二区域 第一区域 方向延伸 高度标准 延伸 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：/n半导体衬底；/n第一电力轨、第二电力轨和第三电力轨，在第一方向上延伸并且在垂直于所述第一方向的第二方向上顺序地布置在所述半导体衬底上；/n第一选择栅极线、第二选择栅极线和第三选择栅极线，在所述第一电力轨和所述第二电力轨之间的第一区域以及所述第二电力轨和所述第三电力轨之间的第二区域上方沿所述第二方向延伸，并在所述第一方向上顺序地布置；以及/n行连接配线，在所述第一方向上延伸以连接所述第一选择栅极线和所述第三选择栅极线。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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