[发明专利]一种基于POP工艺的BGA植球方法有效
申请号: | 201910332173.6 | 申请日: | 2019-04-24 |
公开(公告)号: | CN110085527B | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 徐永健 | 申请(专利权)人: | 苏州浪潮智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人: | 贺芹芹 |
地址: | 215100 江苏省苏州市吴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种基于POP工艺的BGA植球方法,属于BGA基板植球的技术领域,包括步骤(一)在锡球托板上打阵列凹槽,步骤(二)制作锡球支撑板,在锡球支撑板上设与阵列凹槽一一对应的阵列通孔,步骤(三)将锡球支撑板和锡球托板对位在一起,步骤(四)将锡球通过锡球支撑板上的阵列通孔落到锡球托板的阵列凹槽中,步骤(五)锡球填充后对其逐一进行比对检查,步骤(六)将BGA基板表面的杂质及坏锡球进行清除并装进专用托盘中进行贴片,步骤(七)锡球托板在下,BGA基板在上,将BGA基板贴合在对应的阵列凹槽的锡球上,步骤(八)BGA基板与锡球进行融合,步骤(九)对植球完的BGA基板进行检查。本发明用于解决植球效率低及植球后高度不一的技术问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 pop 工艺 bga 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于POP工艺的BGA植球方法,其特征是,包括步骤(一)在锡球托板上打阵列凹槽,根据BGA基板上的阵列在锡球托板上打阵列凹槽,步骤(二)制作锡球支撑板,在锡球支撑板上设与阵列凹槽一一对应的阵列通孔,步骤(三)将锡球支撑板和锡球托板对位在一起,步骤(四)将锡球通过锡球支撑板上的阵列通孔落到锡球托板的阵列凹槽中,步骤(五)锡球填充后对其逐一进行比对检查,步骤(六)将BGA基板表面的杂质及坏锡球进行清除并装进专用托盘中进行贴片,步骤(七)锡球托板在下,BGA基板在上,将BGA基板贴合在对应的阵列凹槽的锡球上,步骤(八)BGA基板与锡球进行融合,步骤(九)对植球完的BGA基板进行检查。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造