[发明专利]用于发射X射线的场致发射器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910333271.1 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN110071027B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 张道书;侯玉欣;陈明;李威威;何可;钟国华;杨春雷 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01J35/06 | 分类号： | H01J35/06;H01J9/02;B82Y10/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于发射X射线的场致发射器件及其制备方法。该制备方法包括：在基底上形成金属电极层；在所述金属电极层上形成铜基底层；在所述铜基底层上形成硫化亚铜纳米线层。该场致发射器件包括：基底；金属电极层，设置于所述基底上；铜基底层，设置于所述金属电极层上；硫化亚铜纳米线层，设置于所述铜基底层上。该制备方法简单易于控制，条件温和，适用于具有大面积的场致发射电极阵列的制备，且制成的器件具有体积小、工作寿命长、场发射性能优异等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 发射 射线 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于发射X射线的场致发射器件，其特征在于，包括：基底(10)；金属电极层(20)，设置于所述基底(10)上；铜基底层(30)，设置于所述金属电极层(20)上；硫化亚铜纳米线层(40)，设置于所述铜基底层(30)上。
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