[发明专利]一种信号校正的方法及装置有效

专利信息
申请号: 201910333375.2 申请日: 2019-04-24
公开(公告)号: CN110133710B 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 姜浩;谢庆国 申请(专利权)人: 苏州瑞派宁科技有限公司
主分类号: G01T7/00 分类号: G01T7/00;G01T1/36
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215163 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种信号校正的方法及装置,方法包括以下步骤:选取两种特征能量不同的射源;使用同一闪烁探测器分别测量固定电压下两种所述射源对应的能谱,并分别从所述能谱中获取对应的峰峰值;确定信号处理器所接收的电信号与所述闪烁探测器的硅光电倍增管中被激活的雪崩二极管的数量之间的实际关系;将特征能量和峰峰值参数分别代入公式中求解未知数。装置包括能量比较器、峰值采集器和参数计算器。本发明可实现硅光电倍增管的线性校准,解决了硅光电倍增管对于能量的响应存在非线性偏差的问题,操作简便,校正效果十分理想。
搜索关键词: 一种 信号 校正 方法 装置
【主权项】:
1.一种信号校正的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:步骤S1:选取两种特征能量不同的射源,两种所述特征能量分别记为E1和E2;步骤S2:使用同一闪烁探测器分别测量固定电压下两种所述射源对应的能谱,并分别从所述能谱中获取对应的峰峰值,记为V1、V2;步骤S3:确定信号处理器所接收的电信号与所述闪烁探测器的硅光电倍增管中被激活的雪崩二极管的数量之间的实际关系,如公式(1)所述:V=[m(1‑e‑Ek)]/q  (公式1);其中,V为电信号的峰峰值,m为所述硅光电倍增管中雪崩二极管的数量,E为特征能量,q和k为未知常数;步骤S4:将参数E1、V1和E2、V2分别代入公式(1)中并联立求解m和q。
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