[发明专利]芯片转移方法、芯片及目标基板

摘要

本申请公开一种芯片转移方法、芯片及目标基板，属于芯片转移领域。该方法包括：将目标基板设置在密闭腔室内，并向目标基板的第一基板键合结构施加第一极性的电荷；向芯片的第一芯片键合结构施加第二极性的电荷，第二极性与第一极性不同；向密闭腔室内注入绝缘流体，使芯片悬浮于绝缘流体中，第一芯片键合结构靠近第一基板键合结构移动，带动芯片靠近目标基板移动，第一芯片键合结构通过对位孔与第一基板键合结构接触，第二芯片键合结构通过对位缝与第二基板键合结构接触；向芯片施加压力，使第一芯片键合结构与第一基板键合结构键合，第二芯片键合结构与第二基板键合结构键合。本申请可以提高芯片的转移效率。本申请用于芯片转移。

主权项

1.一种芯片转移方法，其特征在于，用于将芯片从源基板转移至目标基板，所述芯片包括芯片主体以及设置在所述芯片主体上的芯片键合层，所述芯片键合层包括第一芯片键合结构和第二芯片键合结构，所述目标基板包括衬底基板以及依次设置在所述衬底基板上的基板键合层和辅助对位层，所述基板键合层包括第一基板键合结构和第二基板键合结构，所述辅助对位层具有对位孔和对位缝，所述第一基板键合结构至少部分通过所述对位孔裸露，所述第二基板键合结构至少部分通过所述对位缝裸露，所述第一芯片键合结构的尺寸小于所述对位孔的孔径，所述第二芯片键合结构的尺寸小于所述对位缝的宽度且大于所述对位孔的孔径，所述第一芯片键合结构与所述第二芯片键合结构之间的距离等于所述对位孔与所述对位缝之间的距离，所述方法包括：将所述目标基板设置在密闭腔室内，并向所述目标基板的所述第一基板键合结构施加第一极性的电荷；向所述芯片的所述第一芯片键合结构施加第二极性的电荷，所述第二极性与所述第一极性不同；向所述密闭腔室内注入绝缘流体，使所述芯片悬浮于所述密闭腔室内的所述绝缘流体中，所述第一芯片键合结构靠近所述第一基板键合结构移动，带动所述芯片靠近所述目标基板移动，所述第一芯片键合结构通过所述对位孔与所述第一基板键合结构接触，所述第二芯片键合结构通过所述对位缝与所述第二基板键合结构接触；向所述芯片施加压力，使所述第一芯片键合结构与所述第一基板键合结构键合，所述第二芯片键合结构与所述第二基板键合结构键合。