[发明专利]一种垂直集成单元二极管芯片

摘要

本发明提供一种垂直集成单元发光二极管，包括：第一导电类型电极，第二导电类型电极，及位于所述第一导电类型电极之上的二极管台面结构；二极管台面结构包括n个二极管单元和沟槽结构，其中，n≥2；沟槽结构位于二极管单元之间。二极管台面结构还包括第一导电类型层，厚度为h1的第二导电类型层，及位于所述第一导电类型层上的量子阱有源区，量子阱有源区厚度为h2，其中所述沟槽深度L为：h1L≤h1+h2。二极管台面结构面积根据电流扩散长度确定。本发明解决了现有技术存在的二极管结构在流明效率、流明密度输出、流明成本三个重要的参数上极大局限性的技术问题，提高了单位面积芯片的流明输出，降低了流明成本。