[发明专利]半导体器件以及该半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201910333960.2 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN110867447B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 朴寅洙;金度渊;李起洪 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;阮爱青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件以及该半导体器件的制造方法。一种半导体器件包括：在第一方向上延伸的芯绝缘层、设置在芯绝缘层上的刻蚀停止层、沿芯绝缘层的侧壁和刻蚀停止层的侧壁延伸的沟道层、每个包围沟道层并且在第一方向上彼此间隔开地层叠的导电图案以及形成在沟道层的上端中的杂质区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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