[发明专利]半导体结构及用于半导体工艺的方法有效
| 申请号： | 201910333983.3 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN110970394B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 连建洲;陈立民;杨能杰;黄国彬 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体结构及用于半导体工艺的方法。本文描述的实施例总体涉及用于在半导体工艺中在电介质层中形成导电特征的方法以及由此形成的结构。在一些实施例中，一种结构包括衬底上方的电介质层、表面改性层和导电特征。电介质层具有侧壁。表面改性层沿着侧壁，并且表面改性层包括磷和碳。导电特征沿着表面改性层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 用于 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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