[发明专利]一种Cu基半导体材料及其制备方法和应用

摘要

本发明涉及一种Cu基半导体材料，其特征在于，Cu基半导体材料的成分为Cu3Nb1‑xMoxS4，其中0＜x≤0.1为原子百分比，所述的Cu基半导体材料为三元混合硫化物。与现有技术相比，本发明提出以性能优良的高透明的p型材料Cu3NbS4作为基底材料，通过过渡元素Mo掺杂调控其电子能带结构，从而达到增强其光学吸收的目的。由实验测得光学吸收谱发现，本征半导体的只能吸收部分光子，掺入Mo后光学吸收都明显增强。光学增强的原因正是因为掺杂引入的杂质带使电子多了一条跃迁路径，从而吸收新的光子。本发明大大改善Cu3NbS4半导体材料的光学吸收，使其在光伏领域有更好的应用前景。