[发明专利]一种硅锭开方和切片方法在审
申请号: | 201910334505.4 | 申请日: | 2019-04-24 |
公开(公告)号: | CN110039669A | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 陈骏;张涛;陈旭光;白枭龙;金浩;欧子杨;叶鹏 | 申请(专利权)人: | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
主分类号: | B28D5/00 | 分类号: | B28D5/00;B28D5/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 334100 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种硅锭开方和切片方法,包括只沿第一方向对硅锭进行开方,得到长条硅锭;去除所述长条硅锭周围的不合格部分,得到可切片长条硅块;沿与硅锭生长方向与所述第一方向组成的平面相垂直的平面,对所述可切片长条硅块进行切片,得到成品硅片,因此得到的各个硅片就不存在头部和尾部的差别了,从而能够解决硅片的片间位错密度差异大及电池效率差异大的问题,并能减少边角部硅块的报废率。 | ||
搜索关键词: | 硅锭 切片 开方 硅片 硅块 电池效率 密度差异 生长方向 报废率 边角部 垂直的 平面相 间位 去除 申请 | ||
【主权项】:
1.一种硅锭开方和切片方法,其特征在于,包括:只沿第一方向对硅锭进行开方,得到长条硅锭;去除所述长条硅锭周围的不合格部分,得到可切片长条硅块;沿与硅锭生长方向与所述第一方向组成的平面相垂直的平面,对所述可切片长条硅块进行切片,得到成品硅片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司,未经晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910334505.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:积层陶瓷基板的分断方法及刻划装置
- 下一篇:一种可预设切割的单晶硅棒切割装置