[发明专利]传感器及其制备方法在审
申请号: | 201910334534.0 | 申请日: | 2019-04-24 |
公开(公告)号: | CN110047859A | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 庞凤春;蔡佩芝 | 申请(专利权)人: | 北京京东方传感技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王晓燕 |
地址: | 100176 北京市大兴区经济技术开*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本公开的实施例提供一种传感器及其制备方法,该传感器的制备方法包括:提供衬底基板;在衬底基板上形成驱动电路和感光元件。感光元件包括相对于衬底基板依次形成的第一电极、光电转换层和第二电极,第一电极与驱动电路电连接,形成图案化的第一电极之后,直接在第一电极之上形成图案化的光电转换层。该传感器克服了第一电极表面粗糙导致传感器的性能变差的问题,且实现了良好的金半接触和光电转换特性。 | ||
搜索关键词: | 第一电极 传感器 衬底基板 制备 光电转换层 感光元件 驱动电路 图案化 光电转换特性 第二电极 金半接触 电连接 变差 | ||
【主权项】:
1.一种传感器的制备方法,包括:提供衬底基板;在所述衬底基板上形成驱动电路和感光元件;其中,所述感光元件包括相对于所述衬底基板依次形成的第一电极、光电转换层和第二电极,所述第一电极与所述驱动电路电连接,形成图案化的所述第一电极之后,直接在所述第一电极之上形成图案化的所述光电转换层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的