[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供一具有逻辑器件区和高压器件区的衬底；依次形成控制栅层和侧墙于逻辑器件区和高压器件区上；形成图案化的光掩膜层于衬底上，图案化的光掩膜层暴露出逻辑器件区和高压器件区需要形成金属硅化物的区域；以及，形成金属硅化物层于图案化的光掩膜层暴露出的区域中。本发明的技术方案能够简化工艺并满足半导体器件的逻辑器件区和高压器件区对金属硅化物层的关键尺寸的不同需求，且形成的金属硅化物层更加均匀，进而使得半导体器件中的逻辑器件区上形成的逻辑元件和高压器件区上形成的高压元件的性能均得到提高。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一具有逻辑器件区和高压器件区的衬底，在所述逻辑器件区和高压器件区的交界处形成浅沟槽隔离结构；依次形成控制栅层和侧墙于所述逻辑器件区和高压器件区上，所述侧墙位于所述控制栅层的侧壁上；形成图案化的光掩膜层于所述衬底上，所述图案化的光掩膜层暴露出所述逻辑器件区和高压器件区需要形成金属硅化物的区域；以及，形成金属硅化物层于所述图案化的光掩膜层暴露出的区域中。