[发明专利]掩膜图形修复方法及掩膜板在审
| 申请号： | 201910336081.5 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN111856874A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 包忍 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/72 | 分类号： | G03F1/72;C23C16/30;C23C16/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种掩膜图形修复方法及掩膜板，修复方法包括：提供基板，所述基板上形成有若干掩膜图形，其中部分所述掩膜图形具有缺口；形成填充所述缺口的第一修复层；在所述第一修复层与所述掩膜图形的连接部位形成第二修复层。本发明有助于增加修复层与掩膜图形的黏合强度，其中，所述修复层包括第一修复层及第二修复层，从而防止修复层剥落。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 修复 方法 掩膜板 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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