[发明专利]存储器装置及应用其的集成电路的制造方法

摘要

本发明公开了一种存储器装置及应用其的集成电路的制造方法，该三维存储器包括多个第一存取线阶层、多个第二存取线阶层及多个存储单元阶层。存储单元阶层配置于对应的第一存取线阶层及第二存取线阶层之间。第一存取线阶层包括沿第一方向延伸的多个第一存取线以及配置于第一存取线之间的第一牺牲材料的多个剩余部分。第二存取线阶层包括沿第二方向延伸的多个第二存取线以及配置于第二存取线之间的第二牺牲材料的多个剩余部分。存储单元阶层包括在相邻的第一存取线阶层与第二存取线阶层中配置于第一存取线与第二存取线之间的交叉点中的存储柱的阵列。

主权项

1.一种存储器装置，包括：/n一三维存储器，包括多个第一存取线阶层、多个第二存取线阶层及多个存储单元阶层，这些存储单元阶层配置于对应的这些第一存取线阶层与这些第二存取线阶层之间；/n这些第一存取线阶层中的一第一存取线阶层包括沿一第一方向延伸的多个第一存取线以及一第一牺牲材料的多个剩余部分，该第一牺牲材料的各该剩余部分配置于这些第一存取线中的二个第一存取线之间；/n这些第二存取线阶层中的一第二存取线阶层包括沿一第二方向延伸且在这些第一存取线与这些第二存取线之间的交叉点跨过相邻的这些第一存取线阶层的这些第一存取线的多个第二存取线以及一第二牺牲材料的多个剩余部分，该第二牺牲材料的各该剩余部分配置于这些第二存取线中的二个第二存取线之间；以及/n这些存储单元阶层中的一存储单元阶层，包括配置于相邻的该第一存取线阶层及该第二存取线阶层中的这些第一存取线与这些第二存取线之间的交叉点中的多个存储柱的一阵列。/n