[发明专利]具有挡光层的非等平面AlGaN基肖特基型紫外探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910336655.9 申请日: 2019-04-25
公开(公告)号: CN110047956B 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 陈敦军;邓志杰;张荣;郑有炓 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: H01L31/0304 分类号: H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/108;H01L31/18
代理公司: 江苏斐多律师事务所 32332 代理人: 张佳妮
地址: 210093 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种具有挡光层的非等平面AlGaN基肖特基型紫外探测器,包括依次设置的蓝宝石衬底、缓冲层、阻挡层、掺杂层、过渡层,过渡层上设有吸收层,在吸收层上刻蚀出双台面结构,在吸收层及双台面结构上沉积钝化层,在钝化层上开窗口,窗口处设置欧姆接触层、肖特基接触层,在器件表面依次设置绝缘层a、挡光层和绝缘层b,并且开孔使欧姆接触层和肖特基接触层露出。并公开了其制备方法。本发明在缓冲层上沉积AlGaN层作为阻挡层,实现器件对具体波长范围为250‑280nm的光信号的响应;在阻挡层上沉积一层过渡层,降低了器件体内的晶格失配,可以减小器件暗电流;在器件最上层设计绝缘层a/挡光层/绝缘层b的结构,可提高器件的响应度。
搜索关键词: 具有 挡光层 平面 algan 基肖特基型 紫外 探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种具有挡光层的非等平面AlGaN基肖特基型紫外探测器,包括依次设置的蓝宝石衬底(1)、缓冲层(2)、阻挡层(3)、掺杂层(4)、过渡层(5),在过渡层(5)上设有吸收层(6),在吸收层(6)上刻蚀出双台面结构,刻蚀到掺杂层(4),在吸收层(6)及双台面结构上沉积钝化层(9),在钝化层(9)上开窗口,在深至掺杂层(4)的窗口处设置欧姆接触层(7),在吸收层(6)的窗口处设置肖特基接触层(8),在器件表面依次设置绝缘层a(10)、挡光层(11)和绝缘层b(12),并且开孔使欧姆接触层(7)和肖特基接触层(8)露出。
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