[发明专利]一种适用于高湿度环境下的钙钛矿薄膜的制备方法有效
申请号: | 201910336754.7 | 申请日: | 2019-04-25 |
公开(公告)号: | CN110098332B | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 马东阁;赵竟成;杨德志;代岩峰;孙倩;陈江山 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 罗啸秋 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: |
本发明属于光电器件制备技术领域,公开了一种适用于高湿度环境下的钙钛矿薄膜的制备方法。将PbCl |
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搜索关键词: | 一种 适用于 湿度 环境 钙钛矿 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种适用于高湿度环境下的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于包括如下制备步骤:(1)将PbCl2和PbI2作为共混溶质溶于DMF和NMF的混合溶剂中,得到混合溶液;(2)将步骤(1)的混合溶液旋涂于空穴传输层上获得液膜,然后浸入由异丙醇和DMF组成的反溶剂中进行萃取形成中间相固态薄膜,取出后浸入清洗液中清洗、吹干;(3)在步骤(2)的薄膜上动态旋涂MAI和FAI混合溶液,退火处理即可获得钙钛矿薄膜;所述动态旋涂是指将旋涂的转速增加至3000~6000r/min后,再滴加MAI和FAI混合溶液进行旋涂。
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