[发明专利]一种微米级发光二极管芯片及制备方法有效
| 申请号： | 201910336922.2 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN110061107B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 田朋飞;闫春辉;周顾帆;方志来;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 李明 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种微米级二极管芯片，包括：第一台面，第二台面，氮化镓层，n‑GaN层，应力释放层，多量子阱发光层，p‑GaN层，第一电极，第二电极，绝缘层，所述第一台面与第二台面尺寸不同。本发明避免原有LED输出光功率小，热膨胀率和晶格常数同GaN失配大的技术问题，实现了在同一块芯片上集成了通信，照明，探测等多种功能的同时，光提取效率高的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微米 发光二极管 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微米级二极管芯片，其特征在于，包括：第一台面，第二台面，氮化镓层，n‑GaN层，应力释放层，多量子阱发光层，p‑GaN层，电流扩展层，第一电极，第二电极，绝缘层，所述第一台面与第二台面尺寸不同。
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