[发明专利]一种非对称型的可重构场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种非对称型的可重构场效应晶体管，该晶体管包括沟道、设置在沟道一端的漏极和沟道另一端并向沟道内部延伸的源极、设置在沟道外侧的栅极氧化物、分别设置在源极和漏极端且栅极氧化物外侧的控制栅极和极性栅极、分别设置于沟道两端外侧、用于控制栅极、极性栅极和源极、漏极电学隔离的边墙以及设置于栅极氧化物外侧、用于隔离控制栅极与极性栅极的栅极隔离。本发明向沟道中延伸的源端与纳米线沟道的接触面积更大，提高了载流子的隧穿面积，增大开启电流。在关断时，漏极结构与一般性RFET漏极结构非交叠区域相同，泄漏电流基本保持不变，因此提升了电流开关比，在保证静态功耗不变的情况下，缩短逻辑门电流的运算延迟时间。

主权项

1.一种非对称型的可重构场效应晶体管，其特征在于，该晶体管包括沟道（1）、设置在沟道（1）一端的漏极（4）和沟道（1）另一端并向沟道（1）内部延伸的源极（3）、设置在沟道（1）外侧的栅极氧化物（2）、分别设置在源极（3）和漏极（4）端且栅极氧化物（2）外侧的控制栅极（5）和极性栅极（6）、分别设置于沟道（1）两端外侧、用于控制栅极（5）、极性栅极（6）和源极（3）、漏极（4）电学隔离的边墙（7）以及设置于栅极氧化物（2）外侧、用于隔离控制栅极（5）与极性栅极（6）的栅极隔离（8），其中：所述沟道（1）为硅纳米线、锗纳米线、锗硅纳米线、砷化镓纳米线、氮化镓纳米线、磷化铟纳米线或碳纳米管；所述栅极氧化物（2）为淀积包裹在沟道（1）外侧的二氧化硅、二氧化铪或氮氧化硅；所述漏极（4）或向沟道（1）内部延伸的源极（3）为淀积在沟道（1）两端或内部的钛硅化物、镍硅化物、钴硅化物、氮化钛、氮化钽或几种组合；所述控制栅极（5）和极性栅极（6）为淀积在沟道两端且栅极氧化物（2）外侧经光刻、刻蚀后形成的铝、铜、多晶硅或氮化钛；所述边墙（7）为淀积在沟道（1）两端外侧、控制栅极（5）与极性栅极（6）一端的二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃或硼磷硅玻璃；所述栅极隔离（8）为淀积在栅极氧化物（2）外侧、控制栅极（5）与极性栅极（6）之间的二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、二氧化铪、磷硅玻璃或硼磷硅玻璃。