[发明专利]基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法在审
| 申请号： | 201910337598.6 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN110429041A | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 池田义谦;梅﨑翔太;西健治 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够削减处理基片时的气氛调节气体的使用量的技术。本发明的一个方式的基片处理装置包括基片处理部、分隔壁部和液供给部。基片处理部对基片实施液处理。分隔壁部将从能够送入基片的送入送出口至基片处理部为止的第一空间与第一空间以外的第二空间分隔。液供给部设置在第二空间，将处理液供给到基片。 | ||
| 搜索关键词： | 基片处理 基片处理装置 第二空间 第一空间 供给部 送入 基片处理系统 处理液供给 气氛调节 隔壁部 送出口 液处理 分隔 隔壁 削减 | ||
【主权项】：
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：对基片实施液处理的基片处理部；分隔壁部，其将从能够送入所述基片的送入送出口至所述基片处理部为止的第一空间与所述第一空间以外的第二空间分隔；和液供给部，其设置在所述第二空间，能够将处理液供给到所述基片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
