[发明专利]温度调节装置和液体处理装置在审
| 申请号： | 201910337614.1 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN110429042A | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 福冈哲夫 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明在目标温度有改变时能够在短时间内将处理液的温度调节为改变后的目标温度。温度调节单元(143)将抗蚀剂液的温度调节为抗蚀剂液目标温度后供给到对晶片释放出抗蚀剂液的喷嘴，其包括：主体部(160)，其形成有抗蚀剂液的流路(160a)，并具有热传导性；设置于主体部(160)的至少一面的帕尔帖元件(161)；检测主体部(160)的温度的温度传感器(162)；和控制部(200)，其基于温度传感器(162)的检测结果来控制帕尔帖元件(161)，将主体部(160)的温度调节为主体部目标温度，由此将抗蚀剂液的温度调节为抗蚀剂液目标温度。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀剂液 主体部 温度调节 帕尔帖元件 温度传感器 温度调节单元 温度调节装置 液体处理装置 检测结果 晶片释放 热传导性 喷嘴 处理液 流路 检测 | ||
【主权项】：
1.一种温度调节装置，其将处理液的温度调节为处理液目标温度后供给到对基片释放出所述处理液的喷嘴，所述温度调节装置的特征在于，包括：主体部，其形成有所述处理液的流路，并具有热传导性；设置于所述主体部的至少一面的电热元件；用于检测所述主体部的温度的温度检测部；和控制部，其基于所述温度检测部的检测结果来控制所述电热元件，将所述主体部的温度调节为主体部目标温度，从而将所述处理液的温度调节为所述处理液目标温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
