[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201910338730.5 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN111863955A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 林鑫成;林文新;好韩 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构，包含：具有主动区及隔离区的衬底、位于衬底上的绝缘层、位于绝缘层上的晶种层、位于晶种层上的化合物半导体层、位于化合物半导体层上且位于主动区中的栅极结构、位于衬底上且位于隔离区中的隔离结构、位于隔离区中且位于栅极结构的两侧的一对导通孔、以及位于衬底上且位于栅极结构的两侧源极结构与漏极结构。此对导通孔穿过隔离结构并接触晶种层。源极结构与漏极结构分别藉由此对导通孔电连接至晶种层。本发明提供的半导体结构，能够使电场重新分布、提升击穿电压，以允许半导体装置应用于高电压操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于世界先进积体电路股份有限公司，未经世界先进积体电路股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910338730.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：钢筋续接器及具有所述钢筋续接器的预铸式建筑结构
- 下一篇：组合式套管清洁装置
- 同类专利
- 专利分类
