[发明专利]一种区域性分层沉积扩散工艺

摘要

本发明涉及晶体硅太阳能电池技术领域，为解决现有PERC+LDSE电池片表面掺杂浓度过高、区域性扩散可控性弱、电池蓝光响应差、少子寿命低的问题，提供了一种区域性分层沉积扩散工艺，包括以下步骤：(1)硅片预处理；(2)预氧化；(3)低温低浓度磷源沉积；(4)高温中浓度磷源沉积；(5)形成PN结；(6)低温高浓度磷源沉积；(7)冷却，推出石英舟，将硅片取出。本发明采用区域性分层扩散控制，让硅片表面既有均匀的磷硅玻璃层，利于激光SE重掺杂，从而提高电池片的欧姆接触和良好的接触性能；又能使发射极区域有低的掺杂浓度和高质量的PN结，从而使电池片有优异的蓝光响应和高少子寿命的特点，最终提升电池片的转换效率。

主权项

1.一种区域性分层沉积扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)将P型原始硅片清洗、制绒后，放入石英舟，并推入扩散炉的炉管内；(2)将扩散炉升温至680～720℃，通入氮气和氧气，对制绒后的硅片进行预氧化；(3)向扩散炉中通入低浓度POCl₃、氮气和氧气，对预氧化后的硅片进行低温低浓度磷源沉积；(4)将扩散炉升温至730～820℃，通入中浓度POCl₃、氮气和氧气，对低温低浓度磷源沉积后的硅片进行高温中浓度磷源沉积；(5)将扩散炉升温至850～920℃，通入氮气，在高温中浓度磷源沉积后的硅片表面形成PN结；(6)将扩散炉降温至680～720℃，通入高浓度POCl₃、氮气和氧气，对步骤(5)处理后的硅片进行低温高浓度磷源沉积；(7)将扩散炉降温冷却，推出石英舟，将步骤(6)处理后的硅片取出。