[发明专利]半导体衬底管芯锯切切单系统和方法在审
| 申请号： | 201910341335.2 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110416118A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | M·J·塞登 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体衬底管芯锯切切单系统和方法。切割半导体衬底的方法的实施方式可包括：使锯片与半导体衬底的非立方晶格的晶面基本上垂直地对准，并且以与半导体衬底的非立方晶格的晶面基本上垂直的角度切割穿过所述半导体衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 衬底管芯 立方晶格 单系统 晶面 角度切割 垂直的 垂直地 锯片 切割 对准 穿过 申请 | ||
【主权项】：
1.一种用于切割半导体衬底的方法，包括：使锯片与半导体衬底的非立方晶格的晶面基本上垂直地对准；以及以与所述半导体衬底的所述非立方晶格的所述晶面基本上垂直的角度切割穿过所述半导体衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
