[发明专利]半导体衬底裂纹缓解系统和相关方法在审
| 申请号： | 201910341337.1 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110416062A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | M·J·塞登 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324;H01L29/16;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 高文静 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明题为“半导体衬底裂纹缓解系统和相关方法”。本发明公开了一种用于愈合半导体衬底中的裂纹的方法，所述方法的实施方式可以包括：识别半导体衬底中的裂纹；以及加热所述半导体衬底的包括所述裂纹的区域，直到所述裂纹愈合。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体 缓解系统 愈合 加热 | ||
【主权项】：
1.一种用于愈合半导体衬底中的裂纹的方法，所述方法包括：识别半导体衬底中的裂纹；以及加热所述半导体衬底的包括所述裂纹的区域，直到所述裂纹愈合；其中所述半导体衬底包含碳化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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