[发明专利]利用热纳米压印制备具有微纳光栅结构的超薄复合金属电极的方法及应用有效
申请号: | 201910341770.5 | 申请日: | 2019-04-26 |
公开(公告)号: | CN110061154B | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 孙洪波;马驰;冯晶 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 刘世纯 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了利用热纳米压印制备具有微纳光栅结构的超薄复合金属电极的方法及应用,属于有机发光器件技术领域,本发明利用预先制备的具有微纳光栅反结构的膜板,直接对蒸镀完毕的超薄复合金属薄膜进行热压印,可得到具有微纳光栅结构的、厚度均匀的高质量超薄复合金属电极。采用对超薄复合金属电极直接进行热纳米压印,能够同时保证图案化的超薄金属电极的整体薄膜均匀性和超薄特性,从而有效降低了超薄金属电极的电阻,提升了器件效率;利用热纳米压印制备具有微纳光栅结构的超薄复合金属电极具有较高的透过率,从而提升了器件的光提取率和发光效率。 | ||
搜索关键词: | 利用 纳米 压印 制备 具有 光栅 结构 超薄 复合 金属电极 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.利用热纳米压印制备具有微纳光栅结构的超薄金属复合电极的方法,其特征在于,具体步骤如下:(1)、PDMS模板浇筑制备;具体步骤为:首先,将聚二甲基硅氧烷(PDMS)与固化剂以质量比10:1混合,固化剂为道康宁DOW CORNING,充分搅拌并进行离心,除去内部气泡;然后,取具有微纳光栅结构的硅模板,将均匀混合的PDMS预聚物倾倒在硅模板上,静置20min待其自流平,形成PDMS膜;随后,将其置于烘箱中烘烤,使其固化;最后,将完全固化的PDMS膜从硅模板上揭下,得到具有微纳光栅反结构的PDMS模板;(2)、压印衬底清洗与修饰;具体步骤为:所用压印衬底为玻璃衬底,所用衬底修饰层材料为SU‑8 2025负性光刻胶;首先,将玻璃衬底依次置于丙酮、乙醇去离子水中分别超声清洗15min,并放入95℃的热风烘箱中干燥10min;然后,使用环戊酮将SU‑8光刻胶稀释至0.1g/ml,超声30min辅助溶解,并在室温下搅拌24h;最后,将稀释后的SU‑8光刻胶旋涂至处理好的玻璃衬底上,并进行前烘,以除去其中的挥发性溶剂,得到具有SU‑8修饰层的压印衬底;(3)、超薄复合金属电极蒸镀、热纳米压印;具体步骤为:首先,将压印衬底置于真空蒸镀仪中,依次蒸镀超薄银膜和金膜,得到超薄复合金属电极;然后,将步骤(1)得到的具有微纳光栅反结构的PDMS模板覆盖在超薄复合金属电极上,并置于纳米压印机中进行热压印;压印完成后,对样品进行紫外曝光,使超薄复合金属电极下方的SU‑8光刻胶固化,并冷却;最后,将最上方的PDMS模板揭下,得到具有微纳光栅结构的超薄复合金属电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林大学,未经吉林大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910341770.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择