[发明专利]基于量子点光转换层的全彩Micro-LED显示器件的制作方法

摘要

基于量子点光转换层的全彩Micro‑LED显示器件的制作方法，涉及显示器制备技术领域，解决现有量子点材料直接涂到Micro‑LED表面，涂覆工艺完成后，相邻像素单元上方的量子点材料在低温热退火过程中会横向扩散，不同量子点材料的混合会造成严重的光串扰问题。光源阵列和量子点膜层紧密粘附在一起，存在难以分离的问题，通过将不同颜色的量子点材料分区涂覆到玻璃或聚合物基板不同位置处制备光转换层基板。将单色Micro‑LED显示阵列与光转换基板粘合，实现Micro‑LED的全彩显示。凹槽底部制备DBR反射镜抑制单色Micro‑LED阵列光源出射，提高光源利用率。该法制备的全彩Micro‑LED显示器件具备相邻像素光串扰少，激发光源利用率高，显示质量高的优点。

主权项

1.基于量子点光转换层的全彩Micro‑LED显示器件的制作方法，其特征是：该方法由以下步骤实现：步骤一、选择单色Micro‑LED阵列(3)；提供基板，并在所述基板上制备凹槽阵列(5)；所述凹槽阵列(5)中凹槽总数与单色Micro‑LED阵列中Micro‑LED芯片总数相同；步骤二、在所述凹槽阵列(5)的每个凹槽侧壁蒸镀金属层(6)，在每个凹槽底部镀膜制备DBR反射层(7)；步骤三、将红光量子点材料(8)按照每隔两列填充一列的方式填充到所述凹槽阵列(5)中的DBR反射层(7)上；将绿光量子点材料(9)按照每隔两列填充一列的方式填充到所述凹槽阵列(5)中的DBR反射层(7)上；步骤四、将量子点材料保护层(10)填充到所述凹槽阵列(5)中的每个凹槽内，获得量子点光转换层基板(16)；步骤五、将步骤四获得的量子点光转换层基板(16)倒扣于单色Micro‑LED阵列(3)上方，制作完成全彩Micro‑LED显示器件。