[发明专利]形成半导体封装体的方法在审
| 申请号： | 201910342112.8 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110416141A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 黑濑英司 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 寇毛;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种形成半导体封装体的方法。所述方法可以包括：提供具有多个器件的晶圆；在所述晶圆的第一侧上在所述多个器件中的每个之间蚀刻一个或多个沟槽；将模塑料施加到所述晶圆的所述第一侧以填充所述一个或多个沟槽；将所述晶圆的第二侧研磨至所期望的厚度；以及暴露包括在所述一个或多个沟槽中的所述模塑料。所述方法可以包括：蚀刻所述晶圆的所述第二侧以暴露所述模塑料的高度来形成从所述晶圆延伸的一个或多个台阶；将背面金属化层施加到所述晶圆的第二侧；以及在所述一个或多个台阶处切割所述晶圆以形成多个半导体封装体。所述一个或多个台阶可以从所述背面金属化层的基部延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 半导体封装体 模塑料 蚀刻 背面金属化 多个器件 施加 基部延伸 研磨 台阶处 暴露 填充 切割 期望 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体封装体的方法，其特征在于，所述方法包括：提供包括多个器件的晶圆；在所述晶圆的第一侧上在所述多个器件中的每个之间蚀刻一个或多个沟槽；将模塑料施加到所述晶圆的所述第一侧，其中所述模塑料填充所述一个或多个沟槽；将所述晶圆的第二侧研磨至所期望的厚度并暴露包括在所述一个或多个沟槽中的所述模塑料；蚀刻所述晶圆的所述第二侧以暴露所述模塑料的高度，其中形成从所述晶圆延伸的一个或多个台阶；将背面金属化层施加到所述晶圆的第二侧，其中所述一个或多个台阶从所述背面金属化层的基部延伸；以及在所述一个或多个台阶处切割所述晶圆以形成多个半导体封装体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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