[发明专利]一种半导体三极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201910343517.3 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110310987A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 章美云 | 申请（专利权）人： | 章美云 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L29/32;H01L29/36;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳迈辽知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 赖耀华 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体三极管，其包括第一导电类型的衬底、形成在所述衬底上的第二导电类型的埋层、形成在所述埋层与所述衬底上且第二导电类型的外延层、与所述埋层相连且形成所述外延层的第一注入区、形成在所述外延层且具有第一导电类型的第二注入区、形成在所述第二注入区且具有第二导电类型的第三注入区、形成在所述第一注入区的第一电极、形成在所述第二注入区的第二电极及形成在所述第三注入区的第三电极，所述第一注入区注入有至少两种物质形成第一晶格缺陷，所述第一注入区内的外延层具有第二晶格缺陷。本发明还提供一种半导体三极管的制造方法，提高了半导体三极管的耐压性能、驱动能力和降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 注入区 外延层 导电类型 衬底 埋层 第一导电类型 晶格缺陷 第二电极 第三电极 第一电极 耐压性能 驱动能力 制造成本 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体三极管，其特征在于：其包括第一导电类型的衬底、形成在所述衬底上的第二导电类型的埋层、形成在所述埋层与所述衬底上且第二导电类型的外延层、与所述埋层相连且形成在所述外延层的第一注入区、形成在所述外延层且具有第一导电类型的第二注入区、形成在所述第二注入区且具有第二导电类型的第三注入区、形成在所述第一注入区的第一电极、形成在所述第二注入区的第二电极及形成在所述第三注入区的第三电极，所述第一注入区注入有至少两种物质形成第一晶格缺陷，所述第一注入区内的外延层具有第二晶格缺陷。
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