[发明专利]半导体装置组合件及其制造方法有效
申请号: | 201910343926.3 | 申请日: | 2019-04-26 |
公开(公告)号: | CN110444504B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | J·M·戴德里安;A·M·贝利斯;李晓 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本主题申请涉及半导体装置组合件及其制造方法。一种半导体装置组合件,其具有附接到衬底的半导体装置,其中在所述衬底的表面上具有箔层。粘合剂层将所述衬底连接到所述半导体装置的第一表面。所述半导体装置组合件能够实现在所述半导体装置的所述第二表面上的处理。可以向所述箔层施加能量脉冲,引起对所述箔层的放热反应,这将所述衬底从所述半导体装置剥离。所述半导体装置组合件可以包含位于所述箔层和将所述衬底连接到所述半导体装置的所述粘合剂层之间的剥离层。由所述放热反应生成的热量分解所述剥离层以将所述衬底从所述半导体装置剥离。所述能量脉冲可以是电荷、热脉冲,或者可以从激光器施加。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 组合 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置组合件,其包括:半导体装置,其具有第一侧和第二侧;衬底;箔层,其附接到所述衬底的表面;剥离层,其附接到所述箔层,所述箔层位于所述剥离层和所述衬底的所述表面之间;和粘合剂层,其被配置成将所述半导体装置连接到所述衬底,所述粘合剂层位于所述半导体装置的所述第一侧和所述剥离层之间,其中在向所述箔层施加能量脉冲时,所述箔层被配置成生成热量以使所述剥离层选择性地将所述衬底从所述粘合剂层剥离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造