[发明专利]一种平面光栅及其制备方法在审
| 申请号： | 201910344617.8 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN109959983A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 袁伟 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;马盼 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种制备平面光栅的方法，包括如下步骤：S01：在衬底上依次形成金属层和光刻胶；S02：采用光刻工艺图形化光刻胶，形成光刻胶图形；S03：以光刻胶图形为掩模，刻蚀金属层的顶部，并保留金属层的底部，形成平面光栅中凸起的金属阵列；S04：去除光刻胶图形，形成表面含有凸起的金属阵列的平面光栅。本发明提供的一种平面光栅及其制备方法，可以显著提升平面光栅图形最终的保真度和均匀性的要求，同时可提高金属层的可靠性，改善了金属镀膜性能不良和镀膜剥落的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 平面光栅 光刻胶图形 金属层 制备 金属阵列 凸起 图形化光刻胶 刻蚀金属层 光刻工艺 金属镀膜 保真度 光刻胶 均匀性 衬底 镀膜 掩模 剥落 去除 保留 | ||
【主权项】：
1.一种制备平面光栅的方法，其特征在于，包括如下步骤：S01：在衬底上依次形成金属层和光刻胶；S02：采用光刻工艺图形化光刻胶，形成光刻胶图形；S03：以光刻胶图形为掩模，刻蚀金属层的顶部，并保留金属层的底部，形成平面光栅中凸起的金属阵列；S04：去除光刻胶图形，形成表面含有凸起的金属阵列的平面光栅。
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