[发明专利]一种提高石墨烯上表面等离激元耦合强度的结构有效

专利信息
申请号: 201910344842.1 申请日: 2019-04-26
公开(公告)号: CN109901254B 公开(公告)日: 2022-12-13
发明(设计)人: 刘黎明;吴艳花;迟锋;王红航;张小文;易子川;张智 申请(专利权)人: 电子科技大学中山学院
主分类号: G02B5/00 分类号: G02B5/00
代理公司: 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 代理人: 竺栋
地址: 528402 *** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种提高石墨烯上表面等离激元耦合强度的结构,包括第一金属膜、第一发光层、石墨烯层、第二发光层、第二金属膜构成的多层结构;所述第一金属膜的上方设置有第一发光层,所述第一发光层的上方设置有石墨烯层,所述石墨烯层的上方设置有第二发光层,所述第二发光层的上方设置有第二金属膜;该提高石墨烯上表面等离激元耦合强度的结构,不仅结构简单,能够充分发挥石墨烯的光学特性,提高表面等离激元耦合强度的光学结构,而且在所述的光学结构上设置条形的石墨烯,能够使得表面等离激元定向的传输,另外,所设置的非平面石墨烯层能够耦合更多的表面等离激元,大大提高了表面等离激元的耦合度。
搜索关键词: 一种 提高 石墨 表面 离激元 耦合 强度 结构
【主权项】:
1.一种提高石墨烯上表面等离激元耦合强度的结构,其特征在于:包括第一金属膜(1)、第一发光层(2)、石墨烯层(3)、第二发光层(4)、第二金属膜(5)构成的多层结构;所述第一金属膜(1)的上方设置有第一发光层(2),所述第一发光层(2)的上方设置有石墨烯层(3),所述石墨烯层(3)的上方设置有第二发光层(4),所述第二发光层(4)的上方设置有第二金属膜(5)。
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