[发明专利]一种太阳能电池及其缓冲层和制备方法有效
申请号: | 201910345516.2 | 申请日: | 2019-04-26 |
公开(公告)号: | CN110061087B | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 张准;王磊 | 申请(专利权)人: | 圣晖莱南京能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0749 | 分类号: | H01L31/0749;H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/048 |
代理公司: | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人: | 丛洪杰;和欢庆 |
地址: | 211135 江苏省南京市麒麟高新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种太阳能电池及其缓冲层和制备方法,属于太阳能电池薄膜材料技术领域,解决了现有技术中使用现有无镉材料作为缓冲层的太阳能电池的转换效率低于具有硫化镉缓冲层的太阳能电池的转换效率,并且现有无镉材料制成的太阳能电池缓冲层厚度较厚的问题。太阳能电池的缓冲层包括硒化铟层和硫化铟层,硒化铟层位于靠近光吸收层的一侧,硫化铟层和硒化铟层均含有钠。制备方法包括以下步骤:将沉积有背面电极层和光吸收层的基板依次经过第一靶材组件和第二靶材组件,采用磁控溅射工艺在光吸收层上依次形成硒化铟层和硫化铟层。本发明的缓冲层中掺杂钠可以用于改善太阳能电池的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 及其 缓冲 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池缓冲层,其特征在于,包括硒化铟层和硫化铟层,所述硒化铟层位于靠近光吸收层的一侧,所述硫化铟层和所述硒化铟层均含有钠。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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