[发明专利]一种晶硅太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201910345925.2 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110061073A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 黎微明;李翔;布莱姆·豪克斯 | 申请（专利权）人： | 江苏微导纳米装备科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 万婧 |
| 地址： | 214028 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及光伏电池领域，具体涉及一种晶硅太阳能电池及其制备方法，其特点是在电池片表面设置有阻隔膜。通过在完成的电池片表面进行进一步镀阻隔膜，形成离子扩散阻挡层，将成品电池片一面或双面包覆，起到阻挡外部离子向电池迁移的扩散阻挡层作用，从而解决或改善电池抗PID性能，同时提升钝化及减反作用，并提升电池的光电转换效率。在电池片表面镀膜还可以起到保护电极氧化，阻挡老化的作用。其中优选使用ALD或者PEALD技术，充分利用ALD薄膜致密无针孔的特性，进一步提高电池抗PID性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电池片表面 电池 硅太阳能电池 阻隔膜 种晶 制备 针孔 致密 阻挡 光电转换效率 扩散阻挡层 成品电池 电极氧化 光伏电池 离子扩散 阻挡层 镀膜 钝化 优选 薄膜 离子 面包 老化 迁移 外部 | ||
【主权项】：
1.一种晶硅太阳能电池，其特征在于，在电池片表面设置有阻隔膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
