[发明专利]沉积SiN膜的方法在审
| 申请号： | 201910346317.3 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110408909A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 马克·卡拉瑟斯 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/455;C23C16/50;C23C16/52;H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李雪;姚开丽 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明提供了一种将SiN膜沉积到柔性基板上的方法，该方法包括以下步骤：提供柔性基板；和在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺中使用SiH4、N2和H2将SiN膜沉积到柔性基板上，其中基板的温度为200℃或更低，并且SiH4以大于100sccm的流速引入到所述PECVD工艺中。本发明还提供了一种柔性基板，所述柔性基板具有采用上述方法在该柔性基板上沉积的SiN膜。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性基板 膜沉积 沉积 等离子体增强化学气相沉积 基板 引入 | ||
【主权项】：
1.一种将SiN膜沉积到柔性基板上的方法，所述方法包括以下步骤：提供所述柔性基板；和在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺中使用SiH4、N2和H2将SiN膜沉积到所述柔性基板上，其中所述基板的温度为200℃或更低，并且SiH4以大于100sccm的流速引入到所述PECVD工艺中。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
