[发明专利]基板处理装置和方法在审
申请号: | 201910348696.X | 申请日: | 2019-04-28 |
公开(公告)号: | CN110416120A | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 李相旼;朴舟楫;金鹏;李钟斗 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 杨黎峰;钟锦舜 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明构思涉及用于在高压气氛中处理基板的装置和方法。该装置包括腔室,所述腔室具有第一主体和第二主体,第一主体和第二主体彼此结合以在内部形成处理空间;致动器,其移动第一主体和第二主体之间的相对位置以使得能够在闭合位置与打开位置之间进行位置变化,其中在闭合位置,处理空间与外部隔绝,并且在打开位置,处理空间向外部敞开;基板支撑单元,其在处理空间中支撑基板;气体供应单元,其将气体供应到处理空间中以处理基板;和控制器,其控制致动器。控制器控制致动器以在发生从打开位置到闭合位置的位置变化时顺序地执行:以第一速度移动第一主体或第二主体的高速闭合步骤和以低于第一速度的第二速度移动第一主体或第二主体的低速闭合步骤。 | ||
搜索关键词: | 处理空间 闭合位置 闭合步骤 处理基板 位置变化 致动器 腔室 移动 基板处理装置 基板支撑单元 气体供应单元 控制器控制 控制致动器 发明构思 高压气氛 气体供应 控制器 中支撑 外部 基板 敞开 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,所述装置包括:腔室,所述腔室具有第一主体和第二主体,所述第一主体和所述第二主体彼此结合以在内部形成处理空间;致动器,所述致动器被构造成移动所述第一主体和所述第二主体之间的相对位置,以能够在闭合位置与打开位置之间进行位置变化,其中在所述闭合位置,所述处理空间与外部隔绝,并且在所述打开位置,所述处理空间向所述外部敞开;基板支撑单元,所述基板支撑单元被构造成在所述处理空间中支撑所述基板;气体供应单元,所述气体供应单元被构造成将气体供应到所述处理空间中以处理所述基板;和控制器,所述控制器被构造成控制所述致动器,其中所述控制器控制所述致动器以在发生从所述打开位置到所述闭合位置的位置变化时顺序地执行:以第一速度移动所述第一主体或所述第二主体的高速闭合步骤,和以低于所述第一速度的第二速度移动所述第一主体或所述第二主体的低速闭合步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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