[发明专利]发光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201910348846.7 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110021689A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 吴永胜;林新;林昌江 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊;陈明鑫 |
| 地址： | 350109 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管及其制造方法。所述发光二极管，包括：一基板；一在所述基板上形成的n型半导体层；一在所述n型半导体层的部分区域上形成的活性层；一在所述活性层上形成的p型半导体层；一在所述p型半导体层上形成的透明导电层；一p型电极，其在所述透明导电层上形成，与所述p型半导体层电气连接；一n型电极，其在所述n型半导体层上形成，与所述n型半导体层电气连接；一在所述n型半导体层上凸出的台阶结构，以覆盖住所述n型半导体层上与所述活性层对应的部分区域、所述活性层及所述p型半导体层；所述台阶结构的侧壁是具有曲率的曲面。本发明台阶结构的侧壁是具有曲率的曲面，这种曲面形状的侧壁可以减小全反射，改善外部光释放效率。 | ||
| 搜索关键词： | 活性层 发光二极管 台阶结构 侧壁 曲率 透明导电层 电气连接 基板 曲面形状 全反射 凸出的 外部光 减小 制造 释放 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：一基板；一在所述基板上形成的n型半导体层；一在所述n型半导体层的部分区域上形成的活性层；一在所述活性层上形成的p型半导体层；一在所述p型半导体层上形成的透明导电层；一p型电极，其在所述透明导电层上形成，与所述p型半导体层电气连接；一n型电极，其在所述n型半导体层上形成，与所述n型半导体层电气连接；一在所述n型半导体层上凸出的台阶结构，以覆盖住所述n型半导体层上与所述活性层对应的部分区域、所述活性层及所述p型半导体层；所述台阶结构的侧壁是具有曲率的曲面。
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