[发明专利]一种应用于发光二极管的多壳层量子点的制备方法在审
申请号: | 201910349059.4 | 申请日: | 2019-04-28 |
公开(公告)号: | CN110055051A | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 张芹;孙浩;赵文天;杨文学;张余宝;黎芳芳;秦元成 | 申请(专利权)人: | 南昌航空大学 |
主分类号: | C09K11/02 | 分类号: | C09K11/02;C09K11/88;H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 南昌市平凡知识产权代理事务所 36122 | 代理人: | 张文杰 |
地址: | 330063 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明一种应用于发光二极管的多壳层量子点的制备方法包括CdSe/CdS量子点、CdSe/CdS/CdZnS量子点和CdSe/CdS/CdZnS/ZnS量子点制备步骤。本发明采用在核壳结构量子点中引入晶格失配比较小的中间层,以及具有成分梯度合金核壳结构的量子点作为发光层的合成方法,并应用于量子点发光二极管器件。通过降低晶格失配以及提升量子点的量子产率和稳定性,使器件的发光性能得到显著提高。本发明引入晶格失配比小的中间壳层及包覆厚壳层的量子点作为发光层材料,制备方法简便,易工业化生产,生产成本低,实用性强,可为人们的生活创造更高效的照明光源与显示器件。 | ||
搜索关键词: | 量子点 制备 发光二极管 核壳结构 晶格失配 多壳层 发光二极管器件 应用 发光层材料 晶格失配比 生产成本低 成分梯度 发光性能 显示器件 照明光源 中间壳层 发光层 中间层 引入 包覆 产率 厚壳 量子 合金 合成 | ||
【主权项】:
1.一种应用于发光二极管的多壳层量子点的制备方法,其特征在于:所述的制备方法包括以下步骤:步骤1:制备CdSe/CdS量子点将1.5mmol氧化镉、15mL十八烯、5mL油酸加入三口瓶中,加热至150℃抽真空1小时;其后升温至310℃,注入1mL三正辛基膦,温度恢复后迅速注入硒前驱体反应5分钟后降温至280℃,用注射泵以1mL/min的速度滴入1mmol硫粉溶解在3mL三正辛基膦中的硫源3mL,反应30min后降至室温,产物用正己烷溶解,然后用乙醇促沉淀,再用离心机进行离心提纯,如此反复三次,得到CdSe/CdS量子点;所述的硒前驱体为0.75mmol硒粉溶解在2mL三正辛基膦中;步骤2:制备CdSe/CdS/CdZnS量子点将1.5mmol氧化镉、15mL十八烯、5mL油酸、3mmol氧化锌加入到三口瓶中,加热至150℃抽1真空小时,然后升温至270℃,注入1mL三正辛基膦,温度恢复后,将4.5mmol硫粉溶解在6mL三正辛基膦中的硫源、20nmol的CdSe/CdS量子点的混合溶液用注射泵以1mL/min的速率注入到三口瓶中,反应25min后冷却至室温,产物用正己烷溶解,然后用乙醇促沉淀,再用离心机进行离心提纯,如此反复离心提纯三次,得到CdSe/CdS/CdZnS量子点;步骤3:制备CdSe/CdS/CdZnS/ZnS量子点将15mL十八烯、5mL油酸、5nmolCdSe/CdS/CdZnS量子点加入到三口瓶中,加热至150℃抽真空1小时,然后升温至250℃,注入1mL三正辛基膦,温度恢复后,用注射泵以1mL/min的速率注入5mL锌源,反应15分钟后,再继续用注射泵以同样的速率注入同样量的锌源,继续反应15分钟后降至室温,产物经正己烷溶解,然后用乙醇促沉淀,再用离心机进行离心提纯,如此反复离心提纯三次,得到CdSe/CdS/CdZnS/ZnS量子点;所述的5mL锌源通过5mmol氧化锌、15mL十八烯、10mL油酸在150℃抽真空1小时,然后加热至250℃保温1小时得到。
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